В данной работе я изучил построение механизмов конструкций туннельных p – n переходов. Эффект туннелирования заключается в прохождении свободным электроном области потенциального барьера без своей энергии и при строгом выполнении условия, что его полная энергия меньше величины потенциального барьер. На основе этого эффекта разработан новый класс полупроводниковых приборов – туннельные диоды. На туннельных диодах строятся схемы, триггеров, мультивибраторов, переключателей с очень малыми временами переключения. Туннельные диоды изготавливают на основе сильнолегированных полупроводниковых материалов, поэтому их параметры практически не зависят от температуры. Это даёт возможность использовать их в широком диапазоне температур – от нескольких сотен градусов Цельсия до близких к абсолютному нулю.
