Представить диод в виде системы с сосредоточенным параметрами можно, если линейные размеры его (длина корпуса, толщина перехода) малы по сравнению с длиной волны.
Эквивалентная схема детекторного СВЧ диода показана на рисунке 9. Здесь переход представлен дифференциальными параметрами сопротивлением перехода 
и барьерной ёмкостью СБАР. Потери в базе диода, омических переходах и выводах отображены последовательным сопротивлением потерь rб, индуктивность выводов и контактной пружинки – LК, конструктивная ёмкость между выводами при отсутствии контакта с диодной структурой – СК. Из-за падения напряжения на rб и LК приложенное к переходу напряжения оказывается меньше, чем подведённое к диоду, а ёмкость СК шунтирует его. Эти параметры называют паразитными. Типичные значения LК – десятые доли наногенри и СК – десятые доли пикофарады, rб – десятые доли или единицы ома. У бескорпусных диодов значения СК и LК меньше примерно на порядок, благодаря чему их эффективность выше. Значение дифференциального сопротивления rпер может изменяться в широких пределах в зависимости от положения рабочей точки ВАХ диодов, значение СБАР – десятые доли пикофарады.
Параметры схемы можно определить путём измерений на низких частотах или приближенно на основе процесса выпрямления. Эквивалентная схема используется для расчета характеристик детекторного диода на высоких частотах.
