Методические указания

3.1. В рабочей схеме мультивибратора, собранной на монтажной плате, можно с помощью перемычек подключать к коллектору VT₂ один из конденсаторов C₁ или C₂. В теоретической части – это конденсатор C₂.. Согласно формуле (6) постоянная цепи его разряда определяет длительность первого такта τ₁. Аналогично можно подключить к коллектору VT₁ C₃ или C₄.,что позволяет изменить длительность второго такта τ₁. Таким образом, на монтажной плате можно реализовать две схемы симметричного мультивибратора, когда С1 = С3 или С2 = С4, и две схемы несимметричного мультивибратора, когда подключены С1 и С4 или С2 и С3.

3.2. При выполнении пункта 2.2 задания, наблюдая на осциллографе и , а также – и , следует убедиться, что длительность импульса на базе каждого транзистора при разряде конденсатора и его перезаряде до положительной величины U_БЭпор равна длительности положительного импульса на его коллекторе.

В результате выполнения этого пункта задания необходимо зарисовать четыре временные диаграммы (для напряжений на базах и коллекторах двух транзисторов) в одном временном масштабе (как на рис.6).

Кроме того, нужно измерить длительности импульсов на коллекторах обоих транзисторов и сравнить их с расчетными значениями.

3.3. Схема мультивибратора является удобной схемой для измерения сопротивления транзистора в режимах отсечки и насыщения. Поэтому при выполнении задания нужно:

а) измерить напряжения на коллекторе транзистора в режиме отсечки ( ) и в режиме насыщения ( ), и из формулы (1) найти коллекторный ток в этих режимах;

б) из закона Ома определить сопротивление транзистора в режимах отсечки и насыщения, то есть найти сопротивление разомкнутого и замкнутого транзисторного ключа;

в) аналогично найти ток базы транзистора в режиме насыщения , измерив напряжение на базе в этом режиме.

Сравнивая измеренные величины и , убедиться, что в режиме насыщения оба перехода транзистора открыты.