Анализ схемы включения транзистора с общим эмиттером

Биполярный транзистор – прибор, состоящий из трех полупроводниковых кристаллов с чередующимся типом примесной проводимости и тремя электрическими выводами.

Рис.1. Упрощенная структура и обозначение n – p – n - транзистора.

На рис.1 показана упрощенная структура - транзистора и приведено его обозначение в схемах.

Транзистор имеет два -перехода, взаимодействующих между собой (ток одного перехода влияет на ток другого перехода). Взаимодействие обусловлено малым расстоянием между переходами, называемым толщиной базы. Электрические свойства -перехода описаны в Приложении 1.

Левый (первый) - переход называется эмиттерным, через него течёт ток эмиттера . Правый (второй) - переход называется коллекторным и через него протекает ток коллектора . Ток через базовый контакт называется базовым .

Обычно концентрация дырок в базе много меньше концентрации электронов в эмиттере и коллекторе, поэтому ток эмиттера практически полностью определяется инжектированными в базу электронами эмиттера. Часть электронов эмиттера, прошедших через коллекторный переход, образуют ток коллектора, остальные – ток базы, то есть всегда выполняется соотношение .

Из физических соображений следует, что величины токов эмиттера, коллектора и базы должны зависеть от знака и величины напряжений на двух переходах: и . Иначе говоря, сопротивление транзистора в общем случае должно зависеть от этих двух величин.При различных комбинациях напряжений на переходах транзистор будет работать в разныхрежимах, поэтому одна и та же схема с транзистором может выполнить различные преобразования сигнала.

Проведем анализ работы схемы с n – p – n-транзистором при его включении с общим эмиттером (ОЭ), показанной на рис.2. В схеме транзистор соединен последовательно с резистором относительно источника постоянной ЭДС . Направления токов базы, коллектора и эмиттера показаны стрелками. Во входную цепь транзистора (цепь база – эмиттер) подается напряжение, то есть .

Выходное напряжение снимается между коллектором и эмиттером: . Видно, что эмиттер является общим электродом для входа и выхода схемы, отсюда название включения транзистора в схеме – с общим эмиттером (ОЭ).

Схема рис.2 является четырехполюсником и для его анализа нужно найти зависимость выходного напряжения от входного, то есть его передаточную характеристику.

UВЫХ IК RК UВХ IЭ +Eк IБ

Рис.2 Включение транзистора по схеме с общим эмиттером

Передаточную характеристику можно найти с использованием второго закона Кирхгофа для коллекторной цепи (рис.2), из которого следует

(1)

Соотношение (1) устанавливает связь между напряжением на выходе схемы и коллекторным током. Поскольку транзистор – нелинейный резистор, то цепь коллекторного тока – нелинейная цепь и можно найти одним из методов анализа нелинейных резистивных цепей.

В описании к лабораторной работе «Усилитель на биполярном транзисторе» проведен анализ этой цепи графическим и графоаналитическим методами, которые основаны на использовании экспериментально снятых вольт-амперных характеристик (ВАХ) транзистора, заданных графически. Использование ВАХ конкретного транзистора позволяет получить численные значения токов в цепи рис.2 при заданных значениях входного напряжения , то есть провести количественный анализ нелинейной цепи.

Однако ВАХ определяются физическими процессами, происходящими при протекании токов через два -перехода транзистора, когда на эти переходы подаются внешние напряжения. Поэтому можно провести физическийанализ нелинейной цепи и четырехполюсника рис.2, рассматривая только эти физические процессы, что мы сделаем в этой работе. Очевидно, этот метод может дать только качественный ход передаточной характеристики схемы.

В зависимости от величины и знака входного напряжения, поступающего на первый переход , транзистор в схеме может работать в трех режимах, которые определяют коллекторный ток в цепи, а, значит, и передаточную характеристику схемы в соответствии с (1). Рассмотрим эти режимы.

Режим отсечки. Если ≤ 0, то есть потенциал базы меньше потенциала эмиттера, из рис.1 следует, что первый переход заперт, так как основные носители заряда эмиттера – электроны – не проходят в область базы. Из рис.1 и рис.2 видно, что второй переход тоже заперт, поскольку > 0. Режим работы транзистора, когда оба перехода закрыты, называется режимом отсечки. Через эмиттерный и коллекторный переходы в этом режиме текут малыетоки и , так как они обусловлены электронами базы – неосновными носителями в базовой области. Поэтому в режиме отсечки сопротивление транзистора, равное , должно быть большим (несколько десятков и сотен кОм, как показывает опыт). Говорят, что транзистор заперт.

Можно считать, что транзистор в режиме отсечки практически размыкает выход четырехполюсника. Действительно, в этом режиме напряжение на выходе схемы из (1) равно

(2)

Если напряжение на базе становится положительным, то первый переход открывается и через него течет ток эмиттера , обеспечивающий токи коллектора и базы . Хотя ток эмиттера отличен от нуля при любом малом положительном напряжении на базе, ток через первый переход становится заметным лишь при напряжении, превышающим пороговое , величина которого определяется контактным напряжением на переходе (см. Приложение 1). Для кремниевых транзисторов ≈ 0.6 В.

Таким образом, транзистор открывается при ≥ , однако количественное соотношение между и зависит от соотношения между величинами и . Поэтому для открытого транзистора различают активный режим работы и режим насыщения.

Активный режим работы. При > ≥ эмиттерный переход открыт, а коллекторный заперт. Такой режим называют активным. В этом случае электроны инжектируются из эмиттера, создавая значительный ток эмиттера , и попадают в базу, где являются неосновными носителями заряда. Так как толщина базы делается меньше диффузионной длины пробега электронов, большая часть электронов не успевает рекомбинировать с дырками базы, достигает второго перехода и проходит через него, поскольку для неосновных носителей базы этот переход открыт. Меньшая часть электронов образует ток базы. Таким образом, при условии < коллекторный ток оказывается пропорциональным и почти равным току эмиттера, то есть , где коэффициент немного меньше единицы.

Пропорциональность тока коллектора эмиттерному току означает возможность управления выходным током за счет изменения , который, в свою очередь, зависит от напряжения на первом переходе , то есть . Можно сказать, что транзистор в активном режиме является нелинейным, электрически управляемымрезистором. Это свойство транзистора в активном режиме используется в схемах для различных преобразований электрических сигналов, поступающих на вход, в том числе для усиления сигналов.

В описании к работе «Усилитель на биполярном транзисторе» режим цепи с транзистором в активном режиме рассмотрен подробнее. Итак, в активном режиме работы транзистора напряжение на выходе схемы зависит от величины и может быть записано из (1) в общем виде

(3)

Режим насыщения. При увеличении напряжения на базе в результате резкого роста коллекторного тока в активном режиме падение напряжения на увеличивается, а потенциал коллектора уменьшается, и при некотором станет меньше потенциала базы, то есть второй переход откроется. Таким образом,при > обаперехода открыты и такой режим работы транзистора называют режимом насыщения. В этом случае ток коллектора зависит от напряжения на коллекторе и практически независит от напряжения на первом переходе. То есть, в режиме насыщения возможность управления выходным током открытого транзистора со стороны входа теряется.Как показывает опыт, для кремниевых транзисторов режим насыщения наступает при = ≈ 0.8В.

Так как в режиме насыщения оба перехода открыты, сопротивление транзистора должно бытьмалым (два – три десятка Ом, как показывает опыт). Коллекторный ток в этом случае можно найти из закона Ома и он близок к максимальному току в цепи рис.2

Из соотношения (1) следует, что напряжение на выходе схемы при работе транзистора в режиме насыщения равно

(4)

Иначе говоря, транзистор в режиме насыщения практически накоротко замыкает выход четырехполюсника.

UБЭ Eк UБ нас UБ пор Б А Uкэ

Рис.3. Примерная передаточная характеристика четырехполюсника

Используя выражения (2), (3) и (4) можно графически изобразить примерную передаточную характеристику схемы рис.2, то есть зависимость от . Эта характеристика приведена на рис.3. Участок АБ передаточной характеристики, где происходит резкое изменение выходного напряжения при изменении входного, соответствует активному режиму работы транзистора. Активный режим существует в конечной области напряжений на базе > ≥ . Для кремниевых транзисторов эта область заключена между 0.8В ≥ ≥ 0.6В.

Очевидно, при всех ≤ транзистор находится в режиме отсечки, а при всех ≥ – в режиме насыщения.