Появление на рынке нового поколения полупроводниковых приборов – MOSFET-транзисторов и IGBT-транзисторов, запираемых тиристоров – привело к изменению силовой электроники и, как следствие, преобразовательного оборудования промышленных предприятий, систем электроснабжения и приборостроения. Современные силовые приборы отличаются полной управляемостью, высоким быстродействием, способностью коммутировать цепи с мощностью более 1 МВт на частотах до десятков килогерц при низкой мощности в цепи управления. Благодаря новому поколению силовых полупроводниковых ключей существенно повысились технико-экономические показатели и функциональные возможности выпрямителей и других статических преобразователей электроэнергии.
Лабораторные стенды на основе технологии виртуальных приборов системы схемотехнического проектирования MULTISIM позволяют измерять и исследовать статические и динамические параметры полупроводниковых приборов силовой электроники, дают возможность получать нагрузочные, регулировочные, энергетические характеристики статических преобразователей, способствуют приобретению практических навыков работы с приборами и схемами, создают иллюзию реальности, дополняя тем самым исследования на физических стендах.
