Разновидностью туннельных диодов является обращённый туннельный диод, ВАХ которого изображена ниже.
Концентрацию примесей начального материала выбирают такой, что бы верх валентной зоны p-области сходился с дном зоны проводимости n-области. При прямом смещении такие диоды не имеют максимума туннельного тока(пунктирная кривая). Повернутая на 180° относительно начала координат ВАХ обращённого диода, напоминает характеристику обычного диода, на вследствие резкой зависимости обратного туннельного тока от напряжения имеет более высокую стабильность. Прямой спад напряжения обращённых диодов значительно меньше по сравнению с обычным и составляет сотые доли вольта. Допустимое обратное напряжение тоже мало и соответствует UV. Однако этого достаточно, если учесть специфику использования обращённых диодов - детектирование слабых СВЧ сигналов и работу в смесительных приборах.
