Введение.

Содержание

Введение………………………………………………………………….……3

Глава 1. Диоды.................................…………………………………….…....4

Глава 2. Диод Шоттки………………………………………………….…….5

Глава 3. Применение диодов Шоттки…………………………………...….14

Глава 4. Производство диодов Шоттки…………………………………….19

Заключение…………………………………………………………………....23

Список используемой литературы………………………………………..…24

Введение.

Физические исследования контакта металл - полупроводник стимулировались прогрессом в области точечно-контактных полупроводниковых выпрямителей. В предвоенные годы немецкий ученый Шоттки получил основные математические соотношения, описывающие электрические характеристики этого контакта, вследствие чего подобную структуру стали называть барьером Шоттки. Однако многие замечательные свойства, предсказываемые теорией для барьера Шоттки, практически наблюдать не удалось из-за очень резкого отличия точечных диодов от идеализированной модели (значительные механические напряжения в приконтактной области, наличие промежуточных окисных слоев, мультиконтактность и т. п.). Этим, а также большими успехами приборов с p-n-переходами и объясняется тот ограниченный интерес в отношении исследований контакта металл - полупроводник и создания приборов на его основе.

Лишь в последние годы в связи с небывалыми успехами полупроводниковой технологии стало возможным получение структур, близких к идеальному барьеру Шоттки, и практическое конструирование на этой основе различных приборов. Это обусловливает тот огромный интерес, который проявляют к барьеру Шоттки специалисты в области физики, технологии и применения полупроводниковых приборов.