|
| 
|
|
|
Реальная вольт-амперная характеристика полупроводникового диода Uпр - обратное напряжение, при котором происходит пробой p-n перехода. Imax - предельный ток
|
Напряжение пробоя незначительно растет с повышением тем-ры у Si-диодов, и резко уменьшается у Ge-диодов (такая зависимость связана с особенностями движения носителей заряда в этих полупроводниках)
Основными параметрами выпрямительных диодов являются:
– максимально допустимый прямой ток Iпр.max,
– максимально допустимое обратное напряжение Uобр.max,
– максимально допустимая частота fmax
- обратный ток диода I обр. (измеряется при максимальном обратном напряжении)
- прямое падение напряжения (измеряется при максимальном токе)
- максимальная тем-ра корпуса
