ФОТОРЕЗИСТОР

Явление изменения сопротивления полупроводника под действием светового потока называется фоторезистивным, а проводимость полупроводника – фотопроводимостью (см. рис.).

Все фоторезисторы реализуют два эффекта проводимости:

1) межзонная проводимость – заключается в переходе электронов из зоны проводимости в валентную зону и наоборот.

При ионизации матричных атомов электроны, переходя из зоны проводимости, формируют светопроводимость (см. рис.)

Для формирования такой проводимости кристаллу надо приложить энергию равную ширине запрещенной зоны.

2) примесная фотопроводимость – для получения фотопроводимости при меньшем значении потребляемой энергии, использование примесной фотопроводимости заключается в том, что например в полупроводник n-типа проводимости вводят донорную примесь. И тогда для переброса электронов в зону проводимости необходима энергия

называется еще энергией ионизации примесных атомов, если за ноль взять . Следует отметить, что фоторезистивный эффект присутствует всегда в любом материале и в любой конструкции полупроводникового прибора, т. е. в объеме и на поверхности полупроводника, является основой конструкции диода, транзистора, семистора и т. д. Присутствует фоторезистивный эффект даже в случае их стандартной работы.

В схемах фоторезистор всегда включается в качестве фотоделителя, соотношение делителей 1 к 10 и более

только в этом случае сопротивление R будет не в состоянии изменять ток фоторезистора. Сигнал прошедший через фоторезистор изменяет форму

Простейшая конструкция фоторезистора имеет вид:

1 – фоторезистивный слой;

2 – прозрачная подложка.