В схеме с ОЭ по сравнению со схемой с ОБ входные характеристики идут круче, ток насыщения 
больше, а пробивное напряжение меньше (см. рис.)
Это объясняется тем, что в с ОЭ в отличие от схемы с ОБ выходное напряжение 
частично приложено и к эмиттерному переходу (см. рис)
Поэтому с повышением 
, возрастают и 
, 
и 
поскольку 
.
Выходные ВАХ имеют следующие основные особенности: в режиме насыщения при 
базовый ток существенно увеличивается, по сравнению с нормальным активным режимом, т. к. в этом случае ток базы образуется в результате инжекции из двух параллельно включенных p-n переходов – база-эмиттер, база-коллектор. В нормальном активном режиме базовый ток уменьшается с уменьшением потенциала базы, доходит до нуля и изменяет свое направление (см. рис.). Входные и выходные характеристики транзисторов включенных по схеме с ОК аналогичны включению транзистора с ОЭ.
