Существует четыре режима работы:
1) нормальный активный;
2) двойной инжекции (насыщения);
3) отсечки;
4) инверсный активный.
1)Эмиттерный p-n переход включается в прямом, а коллекторный в обратном направлении, что дает максимальный коэффициент усиления по мощности.
2)Эмиттерный и коллекторный p-n переходы включают в прямом направление, т.е. они инжектируют свободный заряд в базу одновременно или врозь.
3)Эмитторный и коллекторный p-n переходы включают в обратных направлениях, что используется для превращения сигнала в электрических цепях.
4) Коллекторный p-n перход включают в прямом а эмиттерный в обратных направлениях, т.к. p-n переход б-к обладает значительно большим сопротивлением, чем p-n переход Б-Э, то эту схему включают транзистор и используют для согласования отдельных участков электрон. Схем.
В 1 и 4 ом режимах транзистор работает как усилитель и принципиальных различий в них нет, за исключением коэффициента усиления транзистора в 1 больше чем аналогичные параметры перехода б-э.
В инверсионном режиме коэффициент передачи тока: 
