русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

ПАРАМЕТРЫ БИП. ТРАНЗИСТОРА


Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 604; Нарушение авторских прав


Основным параметром биполярного транзистора является коэффициент передачи эмиттерного тока , определяемый из отношения . Условие устраняет модуляцию базы, которая происходит за счет флуктуации напряжения коллектор-база (эффект Эрли). Это условие фактически полностью устраняет влияния выхода на вход, и следовательно стабилизирует численное значение отношения . Коэффициент в большинстве практических схем включения транзистора близок к 1 ( ). Следует отметить, что нижний предел – самый плохой транзистор. Коэффициент определяется двумя параметрами связанных произведением:

, где

– коэффициент инжекции

– коэффициент переноса свободных носителей заряда.

 

Коэффицент инжекции

Равенство утверждает, что усилитилительные свойства n – транзистора определяет только электронная составляющая тока инжектированных ḗ носителей заряда т.к. они доходят до коллектора.

Дырочная составляющая эмиттерного тока не выполняет полезных фунций, => ее стараются свести к минимуму а коэффициент к единице.

За счет получения дырочной составляющей тока эмиттера всегда меньше единицы на величину:

Т.к. основные потери определяют отношение, то необходимо уменьшить концентрацию дырок в исходном материале в базе и толщину базы .

Концентрация электронов в эмиттере и их дифф. Длину в этом случаее необходимо увеличить

учитывая справедливость равенства: ,

- коэффициент инжекции тем ближе к единице, чем разница атомов примесей в эмиттерном и базовом слоях.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Биполярный транзистор | Коэффициент переноса


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.003 сек.