При изменении прямого напряжения, подаваемого на полупроводниковый диод, изменится концентрация инжектирующий носителей заряда. Значение отрицательных зарядов тоже меняется.
-Q в p областях, +Q в n областях.
Такое изменение q в диоде воспринимается внешней цепью диода как энергетическая емкость 
, поскольку обоснованна диффузией неосновного носителя заряда: 
время жизни носителя заряда. 
дифференциальная емкость в общем случае пропорциональна дифференциальному току и времени жизни неосновного носителя заряда.
