Вольт-амперная характеристика p-n-перехода зависит от ширины запрещенной зоны AW энергетической диаграммы материала полупроводника.
Чем больше ширина запрещенной зоны AW, тем меньше скорость тепловой генерации и меньше концентрация неосновных носителей, создающих обратный ток I0 . Следовательно обратный ток меньше.
При прямом включении p-n-перехода ток через него будет тем больше, чем меньше ширина запрещенной зоны. Действительно, ток через p-n-переход определяется как
С увеличением значения ∆W, ток I0 уменьшается и ток I также уменьшается. Для наиболее распространенных полупроводниковых материалов Ge, Si и GaAs ВАХ соотносятся следующим образом (рис.3.12).
Рис.3.12 Зависимость ВАХ p-n-перехода от материала
