Реальные p-n-переходы являются, как правило, несимметричными. При этом концентрация примеси в одной области превышает концентрацию примеси в другой. Область с большей концентрацией называется эмиттером, с меньшей - базой. Меньшая концентрация примесей означает меньшую электропроводность и большее удельное сопротивление. Поэтому в реальных p-n-переходах пренебрегать удельным сопротивлением базы нельзя. Эквивалентная схема реального p-n-перехода имеет вид (рис.3.7).
Рис.3.7 Эквивалентная схема реального p-n-перехода
Вторым отличием реального p-n-перехода от идеализированного является наличие в обедненном слое процессов генерации и рекомбинации носителей заряда. Поэтому при обратном включении ток через переход не постоянен, а зависит от приложенного к переходу напряжения (рис.3.8).
Рис.3.8 Отличие ВАХ реального p-n-перехода от идеализированного
Третье отличие заключается в присутствии явления пробоя при обратном включении p-n-перехода.
