Во многом решая проблему высоковольтных применений, IGBT тоже имеют врожденный дефект, и он носит название «хвост» (tail). Этот эффект объясняется наличием остаточного тока коллектора после выключения транзистора из-за конечного времени жизни неосновных носителей в области базы PNP-транзистора (см. рис. 2). Поскольку база недоступна, ускорить время выключения схемными методами нельзя.
Кроме того, падение напряжения на открытом транзисторе зависит от температуры, причем зависимость эта - положительная для MOSFET и отрицательная для IGBT. На графике рис. 1 приведена зависимость напряжения открытого транзистора для двух IGBT-транзисторов с разным быстродействием и MOSFET-транзистора, имеющего аналогичный размер кристалла . Ввиду большей стойкости MOSFET к лавинному пробою, 500-вольтовый полевой транзистор сравнивается с IGBT, рассчитанным на напряжение 600 В.
