Статические характеристики транзистора отражают зависимость между токами и напряжениями на его входе и выходе.
Для схемы с общим эмиттером статической входной характеристикой является график зависимости тока базы IБ от напряжения при постоянном значении напряжении коллектора:
Выходные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы:
Типичные входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером показаны на рисунке 2.8. Она имеет вид обычной характеристике прямого тока р-п перехода, на которую оказывает влияние напряжение на коллекторе. Из рисунка 2.8,а видно, что с ростом напряжения Uкэ ток Iб уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении Uкэ растет напряжение, приложенное к коллекторному переходу в обратном направлении, переход расширяется, захватывая часть базы и, соответственно, уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в ней ( в соответствии с (2.5) ток рекомбинации является частью тока базы).
Рисунок 2.8. Статические характеристики транзистора для схемы ОЭ: а - входные; б - выходные
Выходные характеристики (рисунок2.8,б) имеют начальный участок быстрого роста, нелинейную зону, переходящую в область насыщения.
