русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Рабочие схемы, таблицы и порядок выполнения работы


Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 698; Нарушение авторских прав


 

Упражнение 1. Эффект р-п перехода в диодах.

1. Собрать стенд в соответствии со схемой (рис. 1.5, а)

 

 

Рис. 1.5, а

 

2. К диоду при прямой полярности приложить напряжение постоянного тока Uпр.= 0 В.Измерить величину соответствующего тока Iпр.

3. Повторить измерения тока Iпр по п.2, устанавливая значения напряжения в диапазоне 0,1…0,65 В, результаты измерений занести в таблицу 1.1.

 

Таблица 1.1

Uпр.,В 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,65
Iпр, мА                

 

4. Изменить полярность диода в соответствии со схемой (рис. 1.5, б)

 

 

Рис. 1.5, б

 

5. Повторить измерения по п.3, устанавливая значения напряжения в диапазоне 0…30 В, результаты измерений занести в таблицу 1.2

 

Таблица 1.2

Uобр.,В 0,0 15[8]
Iобр, мкА              

 

6. По результатам измерений по пп. 3, 4 построить ВАХ выпрямительного диода.

7. По ВАХ определить в соответствии с (1.3) дифференциальное сопротивление диода.

8. По ВАХ определить в соответствии с (1.4) статическое сопротивление диода.

 

Упражнение 2. Диоды с переменной емкостью.

1. Собрать стенд в соответствии со схемой (рис. 1.6).

2. Приложить к входу цепи синусоидальное напряжение амплитудой U0 = 10 В. Частоту переменного напряжения установить 10 кГц.

 

Рис. 1.6

 

3. Установить постоянное напряжение U2 = 2 В. Изменяя частоту напряжения U0 (амплитуда U0 поддерживается постоянной и равной 10 В) в диапазоне 10-20 кГц, определить по результатам регистрации U1 между концами параллельной цепочки резонансную частоту[9].



4. Повторить измерения по п. 3, устанавливая постоянное напряжение в диапазоне 2-30 В, результаты измерений занести в таблицу 1.3.

Таблица 1.3

U2, В f, кГц L, мГн С, пФ
   
   
   
   
   
   
   

 

5. В соответствии с табл. 1.3 построить график зависимости резонансной частоты от напряжения.

6. Определить емкость варикапа, полагая из (1.6), что . Результаты вычислений занесите в табл. 1.3.

7. Построить график зависимости емкости варикапа от напряжения.

8. Определить по формуле (1.5) коэффициент перекрытия по емкости.

 

Контрольные вопросы

 

1. Какие свойства p-n перехода нашли применение в электронике?

2. Как определяют дифференциальное и статическое сопротивление полупроводниковых приборов?

3. В чем заключается принцип действия диода?

4. В чем заключается принцип действия варикапа?

 


[1] Так называемое обратное напряжение, когда к п- области прикладывается «+» потенциал, а к р- области «-» потенциал.

[2] Так называемое прямое напряжение, когда к п- области прикладывается «-» потенциал, а к р- области «+» потенциал.

[3] Когда число инжектируемых неосновных для области базы носителей заряда, становится значительно больше основных, уровень инжекции считается большим.

[4] Диффузионная емкость возникает в приконтактном слое р-п-перехода за счет изменения количества диффундируемых дырок и электронов, т.е. за счет изменения заряда вызванного изменением прямого напряжения.

[5] Зарядная емкость возникает при обратном напряжении на р-п-переходе и обусловлена изменением в нем объемного заряда.

[6] В выпускаемых промышленностью варикапах значение емкости Св изменяется от единиц до сотен пикофарад.

[7] Кс = 2 ... 20

[8] Для получения напряжения более 15 В необходимо соединить последовательно регулируемый и нерегулируемый источники напряжения.

[9] Резонансная частота в данном случае – это та частота, при которой напряжение U1 достигает максимум.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Теоретическое введение | Задание 1


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 2.558 сек.