русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Физические основы электроники


Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 1022; Нарушение авторских прав


 

Методические указания к лабораторным работам

 



Омск 2008

Настоящие методические указания предназначены для проведения лабораторных работ по курсу «Физические основы электроники» (специальностей 210402 – Средства связи с подвижными объектами, 090104 – Комплексная защита объектов информатизации; направления Радиотехника).

В процессе выполнения данного курса лабораторных работ проводятся исследования и анализ ВАХ различных полупроводниковых приборов, выполненных из материалов разного типа.

 



Лабораторная работа № 1.

 



Полупроводниковые диоды

 



1. Цель работы.

Снять и изучить вольтамперные характеристики точечных, микросплавных, сплавных и диффузионных плоскостных универсальных и выпрямительных диодов и определить параметры этих приборов. Сравнить характеристики и параметры кремниевых и германиевых диодов.

 



2. Описание установки.

Прямые ветви полупроводниковых диодов снимаются с помощью схемы рис. 1.1., смонтированной на лицевой панели лабораторного стенда.

 



Обратные ветви этих диодов снимаются с помощью схемы рис. 1.2. Схемы рис. 1.1. и рис. 1.2. питаются от выпрямителя, имеющегося внутри лабораторного стенда. Стенд включается в сеть 220В. Измерительные приборы расположены на лицевой панели стенда.

 



3. Задание.

 



3.1. Записать параметры типового режима испытуемых диодов Д9Д, ГД507А, КД103А, Д7Ж, КД105Б: Iпр MAX , Uобр MAX , Iобр , Uпр .

 



3.2. Подготовить установку к работе. Для этого поворачивают ручки потенциометров U1 и U2 влево до упора, к клеммам А и В подключают в прямом направлении испытуемый диод, к клеммам А1 и В1 параллельно вольтметру V1 подключают электронный вольтметр постоянного напряжения с пределом измерения (1..2)В, включают вольтметр и стенд в сеть.

 



3.3 Снять прямую ветвь характеристик полупроводниковых диодов. Для этого ручкой потенциометра с надписью U1 плавно увеличивают напряжение и следят за изменением тока. В пределах от 0 до 20 мА записывают 6..8 показаний миллиамперметра и вольтметра.

3.4 Снять обратную ветвь характеристик диодов. Для этого поочередно подключают испытуемые диоды в обратном направлении к клеммам C и D и, плавно изменяя напряжение U2, измеряют величины Uобр и Iобр и записывают 6..8 показаний приборов.

3.5 Построить вольтамперные характеристики диодов. Характеристики диодов Д9Д, ГД507А, КД103А (прямую и обратные ветви) следует построить на одном графике, а диодов Д7Ж и КД105Б - на другом. По оси абсцисс следует откладывать значение напряжения, а по оси ординат - тока. Масштабы напряжений и токов. Масштабы напряжений и токов в прямом и обратном направлениях следует выбирать различными. На характеристиках обозначить токи и характеристические треугольники, по которым были определены параметры.

 



4. Содержание отчета.

4.1 Название работы и ее цель.

4.2. Схемы для снятия характеристик. Все схемы как в этой, так и в последующих работах, следует чертить в соответствии с ГОСТ с использованием чертежных инструментов.

4.3. Параметры типового режима испытуемых диодов.

4.4. Результаты измерений и вычислений в виде таблиц, графиков, формул, расчетов. Графики во всех лабораторных работах строятся на миллиметровой бумаге и вклеиваются в индивидуальный отчет студента.

4.5. Критическая оценка полученных результатов, сопоставление их с данными литературы. Результаты пункта 3.6. задания оформить в виде таблицы.

 



5. Контрольные вопросы.

5.1. Изобразите идеальную и реальную характеристику p-n перехода и диода и напишите их математическое выражение.

5.2. Каковы причины отклонения реальных характеристик диодов от идеальных?

5.3. Каковы параметры выпрямительных и универсальных диодов?

5.4. Расскажите о системах обозначений полупроводниковых диодов.

5.5. Нарисуйте вольт-амперную характеристику двух диодов, а также диода и резистора, соединенных различными способами.

 



6. Литература.

Дулин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977, с. 247-268.

Батушев В.А. Электронные приборы. В. школа, 1980, с. 56-75.

Прянишников В.А. Электроника. М.: Бином-Пресс, 2006, с. 20-29.

 





<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Двумерные массивы | Стабилитрон.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.007 сек.