Биполярный транзистор – система двух взаимодействующих p-n-переходов. В биполярном транзисторе физические процессы определяются носителями обоих знаков. В зависимости от чередования p- и n- областей различают n-p-n (обратные) и p-n-p (прямые) транзисторы.
Варикап – переменная ёмкость, на основе p-n-перехода.
Вольтамперная характеристика полупроводника - зависимость тока через p-n-переход от приложенного к нему напряжения.
Входная характеристика – зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении.
Выпрямительные диоды – диоды предназначенные для преобразования переменного тока в однополярный.
Выпрямительные столбы – это совокупность выпрямительных диодов, включённых последовательно и собранных в единую конструкцию с двумя выводами, используется в высоковольтных выпрямителях.
Выпрямительные блоки и сборки – содержат несколько диодов, электрически независимых или соединённых в виде однофазного или трёхфазного моста.
Вырожденные полупроводники - полупроводники, у которых уровень Ферми располагается в зоне проводимости.
Выходная характеристика – зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе.
Выходная (стоковая) характеристика – зависимость тока стока от напряжения сток-исток при постоянном напряжении затвор-исток.
Гетерогенный переход – это переход между полупроводниками с разной шириной запрещённой зоны.
Гомогенный переход – это переход между полупроводниками с одинаковой шириной запрещённой зоны.
Двухсторонний стабилитрон – два импульсных стабилитрона, включённых встречно. Стабилитроны обычно одинаковы, что приводит к симметричной ВАХ. Используются в двухсторонних ограничителях импульсов.
Диод (вентиль) - полупроводниковый прибор, который пропускает ток в одном направлении, содержащий один или несколько электрических переходов и 2 вывода для подключения к внешней цепи.
Диодные матрицы и сборки – представляют собой интегрированные в одном корпусе или кристалле универсальные и импульсные диоды (диоды соединяются в виде микросхем).
Инжекция – процесс введения носителей заряда в область полупроводника, где они не являются основными.
Интегральная микросхема (ИМС) – совокупность взаимосвязанных транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и т.п., изготовленных в едином технологическом цикле, конструктивно оформленных как единое целое и выполняющих определённую функцию преобразования сигнала.
Компоненты ИМС - транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы и т.д., которые могут быть отделены от ИМС и заменены на другие.
Коэффициент инжекции - отношение тока носителей инжектированных в базу к полному току через p-n-переход.
Лавинный пробой – возникает в p-n-переходах при невысокой степени легирования, когда на длине свободного пробега носители успевают приобрести энергию достаточную для ионизации нейтрального атома. Лавинный пробой обратим, если не перешёл в тепловой.
Легирование – процесс введения примесей в полупроводник.
Обратная связь – передача сигнала с выхода устройства на его вход.
Ограничитель напряжения – полупроводниковый диод, работающий в режиме туннельного или лавинного пробоя, предназначен для защиты электрических цепей от перенапряжения. От обычных стабилитронов отличается высоким быстродействием и большими допускаемыми импульсными токами.
Операционный усилитель (в микроэлектронике) - реализованный в виде микросхемы усилитель постоянного тока, имеющий: высокий коэффициент усиления по напряжению, высокое входное сопротивление, низкое выходное сопротивление.
Основные носители заряда - носители заряда с большой концентрацией.
Передаточная (стоко-затворная) характеристика – зависимость тока стока от напряжения затвор-исток при постоянном напряжении сток-исток
Плотность упаковки ИМС - количество элементов на единицу площади кристаллов, характеризует уровень технологии ИМС.
Подвижность - средняя скорость движения заряда в электрическом поле единичной напряжённости.
Полевые (канальные, униполярные) транзисторы – полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции тонкого полупроводникового канала поперечным электрическим полем.
Примесные полупроводники – это такие полупроводники, у которых часть атомов основного материала замещена атомами другого материала.
Светоизлучающие диоды и Излучающие диоды инфракрасного диапазона предназначены для преобразования элементарной энергии в энергию некогерентного излучения в соответствующем диапазоне волн.
Симметричный электронно-дырочный переход – такой в котором концентрация основных носителей в обеих областях полупроводника одинакова.
Стабилитрон - полупроводниковый прибор, в котором для стабилизации напряжения используется слабая зависимость напряжения лавинного (или туннельного) пробоя от обратного тока через переход.
Стабистор – один или несколько последовательно включённых диодов, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь ВАХ.
Тепловой пробой – обусловлен нагреванием p-n-перехода при протекании по нему обратного тока. Тепловой пробой необратим.
Тиристор – полупроводниковый прибор с тремя и более p-n-переходами, имеющие S-образную вольт-амперную характеристику.
Туннельный диод – полупроводниковый прибор на основе p-n-перехода, образованного вырожденными полупроводниками. В этих диодах туннельный эффект проявляется уже при небольших положительных напряжениях на p-n-переходах.
Туннельный пробой – наблюдается в p-n-переходах, образованных вырожденными полупроводниками (сильно легированный проводник).
Универсальные и импульсные диоды отличаются от выпрямительных диодов более высоким быстродействием и большими значениями импульсных токов, имеют другую систему параметров.
Уровень Ферми – уровень, вероятность заполнения которого равна ½.
Усилитель - устройство, предназначенное для увеличения мощности электрических сигналов.
Фотодиод предназначен для преобразования энергии световой или инфракрасного излучения в электрическую энергию. Используется в различных датчиках и оптронах.
Электронно-дырочный (p-n-переход) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную проводимость, а другая – дырочную.
Элементы ИМС - входящие в её состав транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы и т.д., которые не могут быть выделены из неё в виде самостоятельных изделий.
