МДП(MOSFET) транзисторы типа металл-диэлектрик-пп

Дата добавления: 2015-08-06; просмотров: 629; Нарушение авторских прав

Національний технічний університет України

«Київський політехнічний інститут»

Кафедра мікроелектроніки

КУРСОВА РОБОТА

з курсу ”Моделювання технологій напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем”

на тему “Використання середовища Cadence Virtuosoдля проектування інтегральних мікросхем”

Студента Шевцова А.В.

Керівник доц. к.т.н. Татарчук Д.Д.

м.Київ – 2013 рік

Содержание

Аннотация

Список условных сокращений

Вступление

1. Использование САПР в проектировании интегральных микросхем

1.1 Современное положение в индустрии EDA

2. Алгоритм создания ИМС в среде Cadence Virtuoso

3. Иерархический подход к проектированию ИМС

4. Моделирование работы и параметры полученных устройств

4.1 Virtuoso Analog Design Environment- интерфейс и возможности

4.2 Результаты моделирования

5. Достижение предела классических подходов с использованием ОДУ. Пути решения кризиса

Выводы

Список литературы

Аннотация

В работе очерчены современные тенденции в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов. Сделан акцент на иерархическом подходе к проектированию. Именно он позволяет создавать сверхбольшие ИМС.

Список условных сокращений

МДП(MOSFET) транзисторы типа металл-диэлектрик-пп

БПТ (BJT) биполярные транзисторы

КМДП (CMOS) комплементарные МДП

ІМС (ІС) интегральная микросхема

NAND логический элемент И-НЕТ

LOCOS технология локального окисления кремния

САПР система автоматизированного проектирования

EDA САПР в электронике

<== предыдущая лекция	\|	следующая лекция ==>
	\|	Вступление