Общий принцип работы ячейки Flash-памяти.

Рассмотрим простейшую ячейку Flash-памяти на одном n-p-n транзи­сторе. Ячейки подобного типа чаще всего применялись во Flash-памяти с NOR архитектурой, а также в микросхемах EPROM. Поведение транзистора зависит от количества электронов на "плавающем" затворе. "Плавающий" за­твор играет ту же роль, что и конденсатор в DRAM, т. е. хранит запрограм­мированное значение. Помещение заряда на "плавающий" затвор в такой ячейке производится методом инжекции "горячих" электронов (CHE - channel hot electrons), а снятие заряда осуществляется методом квантомеха­нического туннелирования Фаулера-Нордхейма (Fowler-Nordheim [FN]).

При чтении, в отсутствие заряда на "плавающем" затворе, под воздейст­вием положительного поля на управ­ляющем затворе, образуется n-канал в подложке между истоком и стоком, и возникает ток.

Наличие заряда на "плавающем" затворе меняет вольтамперные харак­те­ристики транзистора таким обра­зом, что при обычном для чтения на­пряже­нии канал не появляется, и тока между истоком и стоком не возни­кает.

При программировании на сток и управляющий затвор подаётся высо­кое напряжение (причём на управ­ляющий затвор напряжение подаётся прибли­зительно в два раза выше). "Горячие" электроны из канала ин­жектируются на плавающий затвор и изменяют вольтамперные характери­стики транзистора. Такие электроны называют "горячими" за то, что обла­дают высокой энер­гией, достаточной для преодоления потенциального барьера, создаваемого тонкой плён­кой диэлектрика.

При стирании высокое напряже­ние подаётся на исток. На управляю­щий затвор (опционально) подаётся высокое отрицательное напряжение. Элек­троны туннелируют на исток.

Эффект туннелирования - один из эффектов, использующих волновые свойства электрона. Сам эффект заключается в преодолении электроном по­тенциального барьера малой "толщины". Для наглядности представим себе структуру, состоящую из двух проводящих областей, разделенных тонким слоем диэлектрика (обеднённая область). Преодолеть этот слой обычным способом электрон не может - не хватает энергии. Но при создании опреде­лённых условий (соответствующее напряжение и т.п.) электрон проскакивает слой диэлектрика (туннелирует сквозь него), создавая ток.

Важно отметить, что при туннелировании электрон оказывается "по дру­гую сторону", не проходя через диэлектрик.

Различия методов тунеллирования Фаулера-Нордхейма (FN) и метода инжекции "горячих" электронов:

Channel FN tunneling - не требует большого напряжения. Ячейки, исполь­зующие FN, могут быть меньше ячеек, использующих CHE.

CHE injection (CHEI) - требует более высокого напряжения, по сравне­нию с FN. Таким образом, для работы памяти требуется поддержка двойного питания.

Программирование методом CHE осуществляется быстрее, чем методом FN.

Следует заметить, что, кроме FN и CHE, существуют другие методы про­граммирования и стирания ячейки, которые успешно используются на прак­тике, однако два описанных нами применяются чаще всего.

Процедуры стирания и записи сильно изнашивают ячейку Flash-памяти, поэтому в новейших микросхемах некоторых производителей применяются специальные алгоритмы, оптимизирующие процесс стирания-записи, а также алгоритмы, обеспечивающие равномерное использование всех ячеек в про­цессе функционирования.

Другие виды ячеек:

Кроме наиболее часто встречающихся ячеек с "плавающим" затвором, существуют также ячейки на основе SONOS-транзисторов, которые не со­держат плавающего затвора. SONOS-транзистор напоминает обычный МНОП (MNOS) транзистор. В SONOS-ячейках функцию "плавающего" за­твора и окружающего его изолятора выполняет композитный диэлектрик ONO. Расшифровывается SONOS (Semiconductor Oxide Nitride Oxide Semiconductor) как Полупроводник-Диэлектрик-Нитрид-Диэлектрик-Полу­проводник. Вместо давшего название этому типу ячейки нитрида в будущем планируется использовать поликристаллический кремний.

Многоуровневые ячейки (MLC - Multi Level Cell).

В последнее время многие компа­нии начали выпуск микросхем Flash-памяти, в которых одна ячейка хранит два бита. Технология хранения двух и более бит в одной ячейке получила название MLC (multilevel cell - много­уровневая ячейка). Достоверно из­вестно об успешных тестах прототи­пов, хранящих 4 бита в одной ячейке. В настоящее время многие компании нахо­дятся в поисках предельного числа бит, которое способна хранить много­уровневая ячейка.

В технологии MLC используется аналоговая природа ячейки памяти. Как известно, обычная однобитная ячейка памяти может принимать два состоя­ния - "0" или "1". Во Flash-памяти эти два состояния различаются по вели­чине заряда, помещённого на "плавающий" затвор транзистора. В отличие от "обычной" Flash-памяти, MLC способна различать более двух величин заря­дов, помещённых на "плавающий" затвор, и, соответственно, большее число состояний. При этом каждому состоянию в соответствие ставится опреде­ленная комбинация значений бит.

Во время записи на "плавающий" затвор помещается количество заряда, соответствующее необходимому состоянию. От величины заряда на "пла­вающем" затворе зависит пороговое напряжение транзистора. Пороговое на­пряжение транзистора можно измерить при чтении и определить по нему за­писанное состояние, а значит и записанную последовательность бит.

Основные преимущества MLC микросхем:

1. Более низкое соотношение Цена/МБ.

2. При равном размере микросхем и одинаковом техпроцессе "обычной" и MLC-памяти, последняя способна хранить больше информации (размер ячейки тот же, а количество хранимых в ней бит - больше).

3. На основе MLC создаются микросхемы большего, чем на основе одно­битных ячеек, объёма.

Основныенедостатки MLC:

1. Снижение надёжности, по сравнению с однобитными ячейками, и, соот­ветственно, необходимость встраивать более сложный механизм коррекции ошибок (чем больше бит на ячейку - тем сложнее меха­низм коррекции ошибок).

2. Быстродействие микросхем на основе MLC зачастую ниже, чем у мик­росхем на основе однобитных ячеек.

3. Хотя размер MLC-ячейки такой же, как и у однобитной, дополни­тельно тратится место на специфические схемы чтения/записи много­уровневых ячеек.