Методика измерений

1. Для снятия световой характеристики вентильного фотоэлемента соберите схему (рисунок 3).

2. Фотоэлемент установите перпендикулярно оси оптической скамьи, при этом ручка должна находиться на нулевой отметке угловой шкалы прибора.

3. Источник света (лампу накаливания) установите на 12-м делении шкалы. С помощью выпрямителя ВС (4¸12) подайте на лампу напряжение

4 В, при этом величина тока в цепи будет равна 0,34 А. В таком режиме лампа имеет силу света I = 100 кд.

4. Снимите зависимость J_ф = f(Ф), для чего измерьте значения фототока J_ф при разных расстояниях между фотоэлементом и источником света

(r = 12 см, и далее через 2 см.). Измерения повторите еще раз.

5. Все данные внесите в таблицу 1.

6. Используя формулу (3), вычислите световые потоки, падающие на фотоэлемент при разных расстояниях. Рабочая поверхность фотоэлемента равна S = 8 см².

7. По формуле (4) или (5) вычислите интегральную чувствительность фотоэлемента.

8. Постройте график зависимости J_ф = f(Ф) при U_н = 4В.

Таблица 1

Контрольные вопросы

1. Объясните механизм возникновения запирающего слоя в полупроводниковом кристалле.

2. Объясните устройство вентильного фотоэлемента и принцип его работы.

3. Как определяется световой поток ?

4. Какая величина называется интегральной чувствительностью и как она определяется в работе ?

Литература:

1. Трофимова Т.И. Курс физики. Учебное пособие., М., Высшая школа, 1998.

2. Гершензон Е.М. Курс общей физики.– Оптика и атомная физика. М.: Просвещение, 1981.