Основными эксплутационными характеристиками транзисторов являются параметры малого сигнала, которые измеряются в линейных режимах и используются при расчетах схем усилителей на транзисторах. Это параметры транзистора, представленные эквивалентным 4- полюсником. Она реализуется в измерительной схеме, при создании режима К3 или XX на выходе или входе транзистора.
Пусть U1 = h 11• I 1 + h 12 • U 2.
I2 = h21 • I1 + h22 • U2,
Где U1, I1 – напряжение и ток на входе транзистора, а U2, I2 – напряжение и ток на выходе транзистора;
U1 I2
h11 = , h21 = при К3 на выходе;
I 1, I1
U1 I2
h12 = , h22 = при ХХ на входе.
U2 U2
Задавая I1 и U2 и измеряя U2 и I1, можно определить все h-параметры.
При испытаниях транзисторов практически чаще всего проверяют статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером и обратный ток коллектора (Iкбо).
