Программа работ

Полупроводниковые приборы

Методические рекомендации по проведению лабораторных работ

Лабораторная работа № 1.

Определение свойств, параметров, вольт - амперных характеристик выпрямительных диодов и степени их соответствия техническим условиям

Цель работы

Цель работы - достичь понимания свойств и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов, приобрести навыки экспериментального определения их вольтамперных характеристик (ВАХ) и практического определения соответствия их параметров техническим условиям или справочным данным.

Задачи работы

2.1 Изучить теоретический материал по выпрямительным диодам.

2.2 Выполнить экспериментальную часть работы в соответствии с программой и обработать результаты экспериментов.

2.3. По результатам проведенных работ оформить отчет и защитить его.

Программа работ

3.1 Ознакомиться с методическими рекомендациями по выполнению данной работы.

3.2 Изучить теоретические сведения по электрофизическим явлениях в электронно-дырочных переходах, свойствам и параметрам полупроводниковых выпрямительных диодов по конспекту лекций по дисциплине "Полупроводниковые приборы " и литературе 1 - 4.

3.3 Подготовить формуляр отчета по лабораторной работе.

3.4 Ознакомиться с устройством модернизированного лабораторного стенда по методическому пособию «Универсальный компьютерный лабораторный стенд» и подготовить его к работе.

3.5 Снять прямые ветви ВАХ кремниевого и германиевого диодов.

3.6 Снять обратные ветви ВАХ этих же диодов.

3.7 Построить графики полученных ВАХ.

3.8 Определить величины порогового напряжения, напряжения пробоя и обратного тока.

3.9 Рассчитать по ВАХ зависимости статического R_c и динамического R_д сопротивлений от тока диода.

3.10 Определить по справочнику параметры номинального режима диодов и для номинального тока построить схемы замещения.

3.11 Сравнить параметры исследованных диодов с техническими условиями или со справочными данными.

3.12 Для цепи, состоящей из последовательно соединенных источника напряжения с величиной электродвижущей силы (ЭДС) равной Е_о, нагрузочного резистора R_н = 1 кОм и диода, рассчитать изменение коэффициента полезного действия (КПД) такой цепи при изменении Е в диапазоне ±50% от величины Е₀. Ток диода при Е = Е₀ принять равным 2 мА. Сравнить полученные зависимости для германиевого и кремниевого диодов и объяснить их.

3.13 Для цепи по п. 3.12 при Е = Е_о рассчитать и построить графики зависимостей величины цепи от изменения сопротивления резистора R в диапазоне от 500 Ом до 1,5 кОм.

3.14 Закончить оформление отчета и сделать выводы о степени соответствия исследованных диодов техническим условиям, сравнить свойства германиевого и кремниевого диодов и объяснить их отличия. Справочные данные на германиевые и кремниевые диоды приведены в приложении.

3.15 Защитить отчет.