Схема с общим эмиттером

В схеме с общим эмиттером (рис.8.5,б) общим электродом является эмиттер. Входным током является ток базы i_Б , входным напряжением – напряжение u_БЭ , выходным током – ток коллектора i_К , выходным напряжением – напряжение u_КЭ . Входные ВАХ определяются при постоянном выходном напряжении:

,

выходные ВАХ при постоянном входном базовом токе:

.

Пример входных и выходных ВАХ для транзистора ОЭ приведен на рис.10.1.

Они естественно отличаются от входных и выходных ВАХ транзистора ОБ. На входных ВАХ это отличие проявляется в том, что при увеличении выходного напряжения из-за эффекта модуляции базы характеристики сдвигаются вправо. Выходные ВАХ расположены в одном квадранте, в активном режиме идут с бóльшим наклоном, что означает меньшую величину дифференциального выходного сопротивления транзистора ОЭ по сравнению с ОБ.

Учитывая, что

(10.1)

и ,

имеем

, (10.2)

где

Величина называется статическим коэффициентом передачи базового тока. Для малых изменений переменных вводится динамический коэффициент передачи базового тока

. (10.3)

Так как a несколько меньше 1 (0.9…0,995), то величина коэффициента передачи базового тока b значительно больше 1 (9…200).

Область отсечки (ток базы равен нулю) характеризуется током I_КО* . Область насыщения ограничивается линией насыщения при небольших значениях выходного напряжения.

Для нормальной работы транзистора должны выполняться условия:

, , ,

где правые части характеризуют максимально допустимые значения соответствующих переменных.

Схема включения ОЭ применяется наиболее часто, так как здесь имеет место усиление как по току, так и по напряжению. Поэтому в справочниках обычно задаются параметры именно для этого типа включения транзистора.

Приведём сравнительные результаты измерения коллекторного и базовых токов от напряжения эмиттер-база (см. рис. 10.2). Заметим, что ход кривой описывается приведённым в лекциях 4¸5 выражениям для тока через pn переход. Если для заданного напряжения эмиттер-база найти отношение коллекторного тока к базовому, то это и будет статическим коэффициентом передачи базового тока b_СТ.

Также приведём экспериментальные выходные характеристики pnp транзистора для схем с ОБ и с ОЭ на рис.10.3. В схеме с ОБ (рис.10.3.a) коллекторный ток практически равен эмиттерному току (a @ 1) и фактически не зависит от напряжения U_КБ и остаётся неизменным при U_КБ = 0.

В схеме с ОЭ коллекторный ток намного превышает ток базы и увеличивается с напряжением U_КБ (нет насыщения тока), как видно из рис.10.3б, что иллюстрирует эффект уменьшения ширины базы (эффект Эрли).