Диоды с быстрым восстановлением

Полное время восстановления t₁+t₂ из рисунка 6.1 может быть существенно уменьшено путём введения центров рекомбинации таких, какое золото создаёт в кремнии. Однако введение достаточно большого количества центров рекомбинации приводит к возрастанию обратного тока, генерационная компонента которого также связана с концентрацией центров N_t в соответствии с выражением (5.7):

, где (см. (2.15))

Кремниевые диоды позволяют получать время восстановления (или переключения) от 1 до 5 нс.

Но существует и другой тип быстопереключающихся диодов.

Особо отметим класс импульсных диодов, имеющих очень малую длительность переходных процессов из-за малых емкостей переходов (доли пикофарад); уменьшение емкостей достигается за счет уменьшения площади p-n-перехода, поэтому допустимые мощности рассеяния у них меньше, чем у низкочастотных выпрямительных диодов. Их используют в импульсных схемах. Так же малой ёмкостью обладают переходы сформированные с очень малой концентрацией примеси в низколегированной областью (PIN диоды).

К параметрам, перечисленным выше, для импульсных диодов следует отнести общую емкость С_Д, максимальные импульсные прямые и обратные напряжения и токи, время установления прямого напряжения от момента подачи импульса прямого тока до достижения им заданного значения прямого напряжения и время восстановления обратного сопротивления диода с момента прохождения тока через нуль до момента, когда обратный ток достигает заданного малого значения (см. рис. 7.1).

После изменения полярности напряжения в течение времени t₁ обратный ток меняется мало, он ограничен только внешним сопротивлением цепи. При этом заряд неосновных носителей, накопленных в базе диода, рассасывается. Далее ток уменьшается до своего статического значения при полном рассасывании заряда в базе (низколегированной области перехода).