Подадим положительное напряжение на области p1, n1, а отрицательное на области p2, n3.
Рис. 2.14
Переход П1 закрыт, и выключается из работы область n1. Переходы П2 и П4 открыты и выполняют функцию эмиттерных переходов. Переход П3 закрыт и выполняет функцию коллекторного перехода. Таким образом, структура симистора будет представлять собой области p1, n2, p2, n3, где p1 будет выполнять функции анода, а n3 – катода при прямом включении. Подадим напряжение плюсом на области p2, n3, а минусом на области p1, n1. Переход П4 закроется и выключит из работы область n3. Переходы П1 и П3 откроются и будут играть роль эмиттерных переходов. Переход П2 закроется и будет выполнять функцию коллекторного перехода. Структура симистора будет иметь вид p2-n2, p1-n1, где область p2 ,будет являться анодом, а n1 – катодом. В результате будет получаться структура в прямом включении, но при обратном напряжении. ВАХ будет иметь вид, изображённый на рис. 2.14.
2.5 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Транзистор.содержит два р-n перехода - эмиттерный и коллекторный, имеющие общую область - базу. В зависимости от типа проводимости областей различают р-n-р и n-р-n транзисторы. Их структура и условные обозначения показаны на рис. 2.15. При включении транзистора эмиттерный переход открывают током Iэ , а на коллекторный переход подают значительное закрывающее напряжение. Но это не значит, что коллекторный ток Iк будет отсутствовать - ведь коллекторный переход расположен очень близко к эмиттерному. Сильное поле коллектора захватывает носители тока, инжектируемые эмиттером в базу. У хороших транзисторов коллекторный ток составляет до 99% и более от тока эмиттера. На долю же тока базы остается порядка 1% от тока эмиттера. Отношение коллекторного тока к току базы называют статическим коэффициентом передачи тока (h21Э ) в схеме с общим эмиттером. Для широко распространенных транзисторов его значение составляет от нескольких десятков до нескольких сотен.
Рис. 2.15 Типы
транзисторов
Транзистор как активный четырёхполюсник.
Любой транзистор независимо от схемы включения обладает рядом параметров, которые возможно разбить на две группы: Предельные параметры – все максимальные значения Параметры транзистора в режиме малого сигнала.
Данные параметры объединяются в несколько систем параметров, которые можно определить, представив транзистор в виде активного четырёхполюника.
Четырёхполюсником называется любое электрическое устройство, имеющее 2 входных и 2 выходных зажима. Активным четырёхполюсником называется четырёхполюсник, способный усиливать мощность. Представим транзистор в виде активного четырёхполюсника.
Присвоим входным току и напряжению индекс «1», а выходным индекс «2». Для транзисторов достаточно знать две любые переменные из четырёх – U1, U2, I1, I2. Две остальные определяются из статических характеристик транзистора. Переменные, которые известны или же которыми задаются, называются независимыми переменными. Две другие переменные, которые можно определить, называются зависимыми переменными. В зависимости от того, какие из переменных будут выбираться в виде независимых, можно получить различные системы параметров в режиме малого сигнала.
Система h-параметров транзистора
В системе h-параметров в виде независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение. В этом случае зависимые переменные U1 = f (I1, U2); I2 = f (I1, U2). Полный дифференциал функций U1 и I1 равен
Перейдём от бесконечно малых приращений dU1, dI1, dU2, dI2 к конечным приращениям. Получим:
Из приведенных уравнений определяются их коэффициенты (h-параметры)
