Существует несколько способов накачки полупроводниковых лазеров:
Ø Оптическая накачка – осуществляется путем облучения кристалла потоком интенсивного оптического излучения.
Ø Электронная накачка – осуществляется за счет воздействия на кристалл пучка быстрых электронов.
Ø С помощью действия силового электронного поля.
Ø Инжекционная накачка – осуществляется путем пропускания тока через p-n переход.
Наиболее распространенный способ возбуждения полупроводникового лазера кристалла является пропускание тока через p-n переход (инжекционные лазеры). Они построены на использовании кристаллов с p-n переходом в прямом включении.
Инжекция – впрыскивание.
Генерация возникает в области p-n перехода, имеющего толщину порядка 10 мкм, и распределяется вдоль перехода. В то время как ток протекает перпендикулярно p-n переходу.
Обычно инжекционные лазеры работают в импульсном режиме при Т = 77К (температура жидкого азота).
Лазерные светодальномеры: Bosch
Leica
Полупроводниковый лазер – диод, включенный в прямом направлении.
