Импульсный режим работы полупроводниковых диодов

Во многих радиоэлектронных устройствах полупроводниковые диоды работают в импульсном режиме при длительности импульсов, измеряемой долями микросекунды. В этом режиме диод должен очень быстро переключаться из закрытого состояния в открытое состояние и наоборот. Однако этому препятствуют инерционные процессы накопления и рассасывания заряда в базе. Рассмотрим эти процессы, представив диод в виде эквивалентной схемы (рис. 3.12, а). В этой схеме р-гс-переход заменен диодом, содержащим диффузионную емкость, учитывающую накопление заряда в базе, и барьерной емкостью, учитывающей накопление заряда в р -п -переходе. Через диод протекает конвекционный ток г_конв, а через барьерную емкость — емкостный ток г_емк. В схеме учтено наличие сопротивления базы г'₆, из-за которого напряжение на переходе и_п отличается от напряжения на диоде и_д. На рис. 3.12, б представлены графики изменения напряжений генератора и„ на диоде и._л и на переходе я_п, а на рис. 3.12, в — графики изменения токов генератора г',., емкостного г_смк и конвекционного г_К0|Ш.

Полупроводниковые диоды широко применяют в устройствах радиоэлектроники, автоматики и вычислительной техники. В основе применения диодов лежит ряд их свойств, в соответствии с которыми их можно классифицировать. По типу исходного материала диоды делят на диоды из кремния, германия и арсенида галлия. В зависимости от конструктивно-технологических особенностей различают плоскостные, точечные и микросплавные диоды. По применению различают выпрямительные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, варикапы и ряд других. Возможна классификация и по ряду других признаков. Ниже рассмотрены основные типы полупроводниковых диодов.