Построить схему по рисунку 1.4 и включить. На ВАХ, появившейся на экране осциллографа по горизонтальной оси считывается напряжение на диоде в милливольтах (канал А), а по вертикальной - ток в миллиамперах (канал В, 1 мВ соответствует 1 мА). Обратите внимание на изгиб ВАХ. Параметр Duty cycle взять по номеру варианта.
В этом месте вставить график ВАХ на экране осциллографа.
Построение вольтфарадной характеристики варикапа. Полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости барьерной емкости Сбар от значения приложенного обратного напряжения называется варикапом. Это позволяет применить варикап в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.
Основной характеристикой варикапа является вольтфарадная характеристика - зависимость барьерной емкости от значения приложенного обратного напряжения. Схематическое изображение варикапа и его вольтфарадная характеристика приведены на рисунке 1.5.

Рис. 1.5 Схематическое изображение варикапа и его вольтфарадная характеристика
В выпускаемых промышленностью варикапах значение емкости может изменяться от единиц до сотен пикофарад. Основными параметрами варикапа являются: Св – емкость, измеренная между выводами варикапа при заданном обратном напряжении; Кс – коэффициент перекрытия по емкости, используемый для оценки зависимости Св = f (Uобр) и равный отношению емкостей варикапа при двух заданных значениях обратного напряжения (Кс = 2 - 20). Варикапы применяются в качестве конденсатора с управляемой емкостью. Их делят на построечные и умножительные, или варакторы. Подстроечные варикапы используют для изменения резонансной частоты колебательных систем.
Для получения вольтфарадной характеристики можно использовать схему емкостного делителя с диодом, показанную на рисунок 1.6.

Рис. 1.6 Схема емкостного делителя с диодом