Сравнительная оценка схем включения транзисторов.

Оценка различных схем включения транзисторов может быть произведена с помощью следующей таблицы, в которой приведены численные значения динамических параметров для различных схем включения транзистора, а также некоторые свойства этих схем.

Таблица 4.1

Параметры	ОЭ	ОБ	ОК
	десятки	<1	десятки
	сотни	сотни	<1
	тысячи	сотни	десятки
	единицы кОм	десятки Ом	сотни кОм
	десятки кОм	сотни кОм	десятки-сотни Ом
Температурные свойства	плохие	хорошие	плохие
Частотные свойства	плохие	хорошие	плохие
Сдвиг фаз между и

Из приведенной таблицы можно сделать следующие выводы:

С точки зрения усилительных свойств лучшей является схема с ОЭ, т.к обеспечивает большое усиление по напряжению и току и наибольшее по мощности.

Кроме того, эта схема вследствие малой разницы входного и выходного сопротивлений позволяет создавать многокаскадные усилители без согласующий устройств;

Поэтому схема с ОЭ получила наибольшее распространение;

Схема с ОБ дает значительно меньшее усиление по мощности и обладает малым входным сопротивлением, но она отличается хорошими частотными свойствами и характеризуется высокой температурной стабильностью, поэтому ее применяют обычно для усиления сигналов в области высоких частот;

Схема с ОК не обладает усилением по напряжению, но имеет большое входное и малое выходное сопротивление, что позволяет использовать ее для согласования большого входного сопротивления источника сигнала – с малым сопротивлением нагрузки (эмиттерный повторитель).