Физические параметры и Т-образная эквивалентная схема транзистора на низких частотах

В виду того, что численные значение Z, Y и H- параметров зависят от схемы включения транзисторов, использования их для расчетов не всегда оказывается удобным. Поэтому удобнее пользоваться физическими (внутренними) параметрами транзистора, связанными с физическими процессами в нем и не зависящими от схемы включения транзистора.

Под физическими параметрами понимают реально существующие в транзисторе емкости, индуктивности и сопротивления внутренней структуры транзисторов и p-n переходов. Так как при работе на низких частотах влиянием емкостей и индуктивностей можно пренебречь, то под физическими параметрами на низких частотах будем понимать (Рис.4.21)

Рис.4.21

Объемное сопротивление области эмиттера ( ), базы , коллектора ( ) и сопротивление эмиттерного ( ) и коллекторного ( ) переходов. При работе транзистора в активном режиме (эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный-в обратном) обычно выполняются условия и . Поэтому в состав эквивалентной схемы транзистора для переменного тока входят лишь три сопротивления

С учетом этих сопротивлений эквивалентная Т-образная схема транзистора на низких частотах для схемы с ОБ с эквивалентным генератором тока имеет следующий вид (Рис.4.22):

Рис.4.22

Генератор тока , включенный в цепь коллектора, учитывает усилительные свойства транзистора.

Генератор тока с параллельно включенным сопротивлением может быть заменен генератором напряжения с последовательно включенным сопротивлением . Сделав это преобразование, приходим к новой эквивалентной схеме (Рис.4.23) с эквивалентным напряжением.

Рис.4.23

Иногда произведение заменяют величиной = . Таким образом, наряду с сопротивлением , , к физическим параметрам относится также коэффициент передачи тока (или сопротивление = ).

Кроме Т-образных схем используются П- образные эквивалентные схемы, которые можно получить путем пересчета сопротивлений в проводимости. Одна из таких схем приведена на Рис. 4.24.

Рис.4.24

Т- образные эквивалентные схемы транзистора, включенного по схеме с ОЭ, имеют те же параметры, что и в схеме с ОБ, но сопротивления и меняются местами. Ко входу прикладывается напряжение , а ток по входной цепи равен .