русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Статистические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ.


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 674; Нарушение авторских прав


а) Семейство входных характеристик.

Входные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ, представляют собой графическую зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе

Они приведены на рис 4.11

 
 

 


Рис 4.11

При , что равносильно короткому замыканию источника коллекторного питания, работает только один эмиттерный переход, включенный в прямом направлении. Поэтому характеристика представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характеристикой диода (р-п перехода) и объясняется аналогично.

При эмиттерный р-п переход находится в равновесном состоянии и через него протекают равные и противоположно направленные токи и ,поэтому

.

При увеличении напряжения , но , потенциальный барьер эмиттерного р-п перехода еще не скомпенсирован и препятствует росту тока эмиттера, поэтому возрастает сравнительно медленно по экспоненциальному закону.

При , потенциальный барьер оказывается скомпенсированным и не препятствует росту тока . Ток эмиттера ограничивается только величиной распределенного (объемного сопротивления области базы ), поэтому ток возрастает линейно, с увеличением напряжения, подчиняясь закону Ома .

Характеристики, снятые при отрицательных напряжениях на коллекторе , смещаются влево (или вверх). Это объясняется влиянием распределенного сопротивления базы (рис 4.12)

 
 

 


 

Рис 4.12

 

Ток базы , проходя по этому сопротивлению, создает на нем падение напряжения

, включенное в цепь эмиттера встречно с напряжением источника . Напряжение, действующее непосредственно на эмиттером переходе, равно

(4.8)

При увеличении отрицательного напряжения происходит расширение коллекторного р-п перехода и сужение базы, что сопровождается уменьшением числа рекомбинаций в базе и, следовательно, тока базы . А это, согласно выражению (4.8), приводит к увеличению напряжения на эмиттером переходе, а значит и тока при фиксированном значении напряжения .



Так как при различных значениях напряжения ток. , а следовательно, и ток эмиттера изменяются очень незначительно и характеристики идут близко друг к другу, то в справочниках обычно приводятся две характеристики, снятые при и некотором номинальном значении.

 

б) Семейство выходных характеристик

Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ, представляют собой графическую зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе эмиттера

и приведены на рис 4.13

         
 
   
 
   
 

 

 


Рис.4.13

 

При токе эмиттера, равном нулю , что равносильно разрыву цепи эмиттера, в цепи коллектора протекает небольшой обратный ток коллекторного перехода ,величина которого не зависит от напряжения и определяется только концентрацией неосновных носителей в базе и коллекторе. Характеристика аналогична обратной ветви вольт амперной характеристики диода. При достаточно большом, по абсолютной величине, напряжении происходит электрический пробой коллекторного перехода, приводящий к резкому увеличению тока коллектора. Характеристики, снятые при (активном режиме) смещаются вверх пропорционально увеличению тока эмиттера, т.к. с увеличением тока эмиттера возрастает и ток коллектора, как следует из выражения . Физически это объясняется том, что с увеличением тока эмиттера больше дырок инжектирует из эмиттера в базу и следовательно, больше их втягивается полем коллекторного перехода в коллектор.

При напряжении и ток коллектора близок к своему максимальному значению, определяемому током эмиттера, т.е. . Это объясняется тем, что дырки, инжектированные из эмиттера в базу, диффундируют по ней, достигают коллекторного перехода и перебрасываются в коллектор полем коллекторного перехода независимо от величины коллекторного напряжения. Чтобы ток коллектора стал равным нулю, необходимо на коллекторный переход подать небольшое прямое напряжение (режим насыщения) . Тогда возникает инжекция дырок из коллекторного перехода в базу (прямой ток коллектора), направленный навстречу потоку дырок, движущихся из эмиттера через базу в коллектор (навстречу диффузионному току ). При равенстве прямого тока открытого коллекторного перехода управляемому току коллектора, результирующий ток коллектора станет равным нулю

.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Статические характеристики транзисторов. | Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.003 сек.