русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Контакт полупроводников разного типа проводимости


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 2813; Нарушение авторских прав


Электронно-дырочный переход, или сокращенно p-n- переход, является границей, разделяющей области с дырочной (р) и электронной (n) проводимостями. Через границу раздела этих областей происходит диффузия электронов из n-полупроводника в р-полупроводник и дырок – в обратном направлении. При этом в электронном полупроводнике появляются нескомпенсированные положительные ионы донорной примеси, а в дырочном – нескомпенсированных отрицательных ионов акцепторной примеси. Возникает двойной электрический слой объемных зарядов, причем область между ними оказывается обедненной электрическими зарядами вследствие рекомбинации электронов и дырок и поэтому обладает большим сопротивлением. Эти объемные заряды создают электрическое поле, препятствующее дальнейшим переходам электронов из n-полупроводника и дырок из р-полупроводника.

Если р-n-переход подключить к источнику тока так, что область с электронной проводимостью (n) будет соединена с положительным полюсом, а область с дырочной проводимостью (р) – с отрицательным полюсом, то электроны в n-полупроводнике и дырки в р-полупроводнике будут удаляться внешним полем от р-n-перехода в противоположные стороны, увеличивая его толщину. Сопротивление перехода в этом случае увеличивается, а сила тока через переход мала и почти не зависит от напряжения. Ток в этом случае создается неосновными носителями. Такой способ включения называется включением в обратном или запирающем направлении.

Если р-n-переход подключить к источнику тока так, что область с электронной проводимостью (n) будет соединена с отрицательным полюсом, а область с дырочной проводимостью (р) – с положительным полюсом, то поле источника облегчает переход основных носителей через область контакта. Сопротивление перехода в этом случае невелико и сила тока зависит от напряжения, даваемого источником, и сопротивления внешней цепи. Этот способ включения называется включением в прямом или пропускном направлении.



 

 

Рис. 3. Прямое (б) и обратное (в) включение р-n-перехода

 

Таким образом, р-n-переход пропускает ток в одном направлении и не пропускает его в противоположном направлении. Это свойство используется в приборах, называемых полупроводниковыми диодами, для преобразования переменного тока в постоянный, то есть для выпрямления тока.

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Примесная проводимость полупроводников | Полупроводниковый диод


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 2.313 сек.