Часть 2. Исследование ВАХ диода Шоттки

2.1 Собрать схему, изображенную на рис. 1.7. В качестве исследуемого элемента выбрать диод Шоттки. Марку диода следует выбирать из таблицы 3 в соответствии с номером подгруппы. Параметры элементов задать в соответствии с рис. 1.7.

рис. 1.7

Таблица 3

Вариант	Марка диода Шоттки	Напряжение пробоя, В	Максимальный прямой ток, А
	10BQ015
	8EQ045
	10BQ040
	BAT81
	BAT14_098	6.1
	MBR340

2.2. Получить данные для построения прямой ветви ВАХ диода Шоттки. Для чего изменяя величину ЭДС источника от 0 В до 1 В с шагом в 0.1 В, занести показания приборов амперметра U1 и вольтметра U2 в таблицу 4. Полученные данные позволяют построить начальную часть прямой ветви ВАХ диода Шоттки.

Для построения оставшейся части прямой ветви ВАХ диода определить максимальное значение ЭДС Е_max источника ЭДС, при котором обеспечивается максимальный прямой ток диода, используя выражение:

, где I_ma_x - максимальный ток диода (см. таблицу 3). Изменяя величину ЭДС источника от 1 В до Е_max с примерно равным шагом, провести 4 измерения и занести показания приборов амперметра U1 и вольтметра U2 в таблицу 4.

Таблица 4

ЭДС, В	0.1	0.2	0.3	…
I_a, мА
U_ak , В

2.3 Построить прямую ветвь ВАХ диода (графическую зависимость прямого тока через диод от напряжения U_ak) используя данные из таблицы 4.

2.4 Получить данные для построения обратной ветви ВАХ диода. Для чего:

а. изменить полярность источника ЭДС. Это можно сделать двумя способами:

- отсоединить источнике ЭДС от остальной цепи и «перевернуть» (щелкнуть правой кнопкой мыши на источнике ЭДС, затем выбрать Flip Vertical), а затем снова соединить проводами с остальной цепью;

- задать отрицательное значение ЭДС источника.

б. увеличить значение сопротивления резистора до 200 кОм (установить 200k в параметре Resistance).

в. изменяя величину напряжения источника ЭДС от 0 В до напряжения пробоя (см. таблицу 3) с примерно равным шагом, позволяющим выполнить 5 - 6 измерений, провести измерения и занести показания приборов амперметра U1 и вольтметра U2 в таблицу 5, аналогичную таблице 4.

1.5 Построить обратную ветвь ВАХ диода (графическую зависимость прямого тока через диод от напряжения U_ak) используя данные из таблицы 5.

Выводы

На основании анализа и сравнения ВАХ полупроводникового диода (Si) и диода Шоттки сделать выводы об отличии характеристик диодов и возможных областях применения рассмотренных диодов.