Исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении p-n перехода.
Построение и исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) полупроводникового диода.
Построение обратной ветви вольтамперной характеристики стабилитрона и определение напряжения стабилизации.
Исследование влияния напряжения, тока светодиода и его полярности на световую эмиссию.
Закрепление теоретического материала.
Полупроводниковый диод
Общие сведения
Двухэлектродный полупроводниковый элемент - диод содержит n- и p -проводящий слои (рисунок 1.1). В n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p-проводящем слое - дырки. Существующий между этими слоями p-nпереход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
Рисунок 1.1
При прямом приложении напряжений («+» к слою p, «—» к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт). При обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.
При прямом приложении напряжений («+» к слою p, «—» к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт). При обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.