Задача 6.

Определить изменение барьерной емкости С_Б при изменении обратного напряжения U_обр.

Вычислить С_Б и построить характеристику зависимости С_Б = f(U_обр) не менее чем в 10 точках при изменении напряжения в указанном диапазоне. Данные для расчета взять из табл. 4 для соответствующих вариантов.

Температуру для всех вариантов принять одинаковой и равной Т = 300 К. Постоянный коэффициент k_c имеет размерность [пФ В^1/2], поэтому при введении в расчетную формулу напряжения в вольтах С_Б получается в пикофарадах.

С_Б = k_c/(U + φ_к)^1/2.

Таблица 4

5. ОФОРМЛЕНИЕ ОТЧЕТА

В работе отразить:

– Номер варианта.

– Исходные данные варианта.

При расчетах указывается расчетная формула, затем подставляются числовые значения, записывается окончательный результат. Обязательно проставляется размерность величин.

– Расчетную схему включения диода.

– Графики изменения напряжения на входе U₁ и на выходе U₂ один под другим в одном масштабе в задаче 5.

– Привести перечень литературы.

– На титульном листе ставится подпись автора и дата.

– Оформление работы допускается в тетради школьного формата.

ПЕРЕЧЕНЬ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Тырышкин И.С. Физические основы полупроводниковой электроники. М.: Высш.шк. 2000.

2. Изьюрова Г.И., Королев Г.В., Терехов В.А. и др. Расчет электронных схем. М.: Высшая школа, 1997.

3. Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника: Учеб. пособие. Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс"2000

4. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Издание 2-е, М.: Лаборатория базовых знаний. 2000

5. Петухов В. М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Дополнение первое: Справочник. М.: Рикел, Радио и связь1994