Диапазон напряжений, подаваемых на переход, задается, как правило от –10 до 2 В с шагом 0.1 В. При прямом смещении ток не должен превышать 1 А.
Значения диффузионных длин Ln и Lpдля конкретного полупроводника взять из базы данных «Ioffe» из раздела «Рекомбинационные параметры».
Графики типа W(T,U=const), W(U, T =const) можно строить на одних осях, например, W(T,U1=const) и W(T,U2=const). Тогда сразу можно проследить влияние двух аргументов на функцию.
New! Приложение 1
Основные используемые обозначения
Символ
Физическая величина
Единица измерения
AP-N
площадь p-n перехода
мм2
Dn(Т)
коэффициент диффузии электронов
см2·с-1
Dp(Т)
коэффициент диффузии дырок
см2·с-1
k
постоянная Больцмана
Дж/К
Na
концентрация акцепторов в p-области
м-3
Nd
концентрация доноров в n-области
м-3
ni(Т)
собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике
м-3
Ln
диффузионная длина электронов
мкм
Lp
диффузионная длина дырок
мкм
e
диэлектрическая константа (значение брать из IOFFE\2002\www.ioffe.rssi.ru\SVA\NSM\Semicond\Si\index.html)
