В последнее время достаточно широко в электронных приборах, особенно в микросхемах, используется барьер Шоттки, являющийся основой диода Шоттки (ДШ). Барьер Шоттки образуется в переходе металл – полупроводник. Возможны металло-дырочный или металло-электронный переходы. По свойствам ДШ аналогичен рассмотренным ранее диодам с электронно-дырочным переходом, но отличается от них параметрами. Переход металл – полупроводник часто называют «контакт металл – полупроводник».
Для изготовления ДШ в качестве основы используют низкоомный кремний n-типа (n+) с тонким слоем (плёнкой) высокоомного кремния того же типа (n). На поверхность высокоомной плёнки кремния (n-Si) наносят металлический электрод из золота методом напыления в вакууме. На границе плёнки золота и высокоомной плёнки n-Si образуется выпрямляющий контакт (переход).
Au
A Переход hos
высокоомная
n пленка Si-n
n+
основание Si-n+
Рис.7.
Прямое напряжение на ДШ меньше на 0,2-0,3 В, чем на кремниевом p-n переходе. Прямое напряжение не превышает 0,4 В. Это важное свойство ДШ позволяет существенно повысить быстродействие ключевых элементов в цифровой импульсной технике применением «ключей Шоттки».
Кроме сверхскоростных и сверхвысокочастотных диодов на базе барьера Шоттки можно создавать и мощные высокочастотные выпрямительные ДШ. Созданы ДШ, работающие на частоте 1 МГц при Uобр≥50 В и Iпр≥10 А.
ВАХ:
Ua
^
Рис.8.
