У обращенных диодов высокая проводимость при низких напряжениях существует

-в прямом включении

+в обратном включении

- как в прямом, так и в обратном направлении

##theme 6

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На рисунке изображены вольт-амперные характеристики обращенных диодов из германия и антимонида галлия. Укажите номера кривых, которые характеризуют германиевый диод (при Т=0 К ширина запрещенной зоны ΔW_Ge = 0,746 эВ; ΔW_GaSb = 0,72 эВ)

+ 2 и 3

- 1 и 4

- 1 и 3

- 2 и 4

##theme 6

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На рисунке изображены вольт-амперные характеристики обращенных диодов из германия и из антимонида галлия. Укажите номера кривых, которые характеризуют диод из антимонида галлия. (при Т=0 К ширина запрещенной зоны ΔW_Ge = 0,746 эВ; ΔW_GaSb = 0,72 эВ)

- 2 и 3

+ 1 и 4

- 1 и 3

- 2 и 4

##theme 6

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Полупроводниковый прибор, содержащий p-n-переход с очень малой толщиной запирающего слоя, в котором носители заряда проходят сквозь потенциальный барьер благодаря квантово- механическому процессу туннелирования называется

- варикап

- выпрямительный диод

- диод Шоттки

+ туннельный диод

##theme 7

##score 1

##type 1

##time 0:00:00