1- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к электрону, чтобы перевести его из валентной зоны в зону проводимости.
2- P-n-переход. Движение основных и неосновных носителей через переход.
3- Ширина запрещенной зоны кремния равна 1.13 эВ. Какую энергию необходимо придать электрону, чтобы перейти из зоны проводимости в валентную зону.
4- P-n-переход. Распределение основных и неосновных носителей в переходе.
5- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к монокристаллу, чтобы перевести уровень Ферми к дну зоны проводимости.
6- P-n-переход. Равновесное состояние основных и неосновных носителей в переходе.
7- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Ввели примесь электронного типа с энергией 0.1эВ. Куда сместится уровень Ферми и насколько.
8- P-n-переход. От каких факторов зависит толщина перехода.
9- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Ввели примесь дырочного типа с энергией 0.1эВ. Куда сместится уровень Ферми и насколько.
10- P-n-переход. Под действием каких сил происходит движение основных и неосновных носителей через переход.
11- При введении примеси электронного типа с энергией 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.
12- P-n-переход. Как будут двигаться основные и неосновные носители при приложении внешнего напряжения плюсом к р-слою.
13- При повышении температуры примеси электронного типа до энергии 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.
14- P-n-переход. Как будут двигаться основные и неосновные носители при приложении внешнего напряжения плюсом к n-слою.
15- При введении примеси дырочного типа с энергией 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.
16- Симметричный р-n-переход. Как будет изменяться емкость при приложении внешнего напряжения.
17- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к полупроводнику, чтобы он оказался вырожденным.
18- Р-n-переход полупроводник - металл. Какие и куда будут двигаться заряды.
19- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Каков тип примеси, если ее уровень оказался ниже дна свободной зоны на 0.1 эВ. Куда сместился уровень Ферми.
20- Р-n-переход типа р+–ni. Какие и куда будут двигаться заряды.
21- Почему и как изменяется концентрация собственных носителей при повышении температуры.
22- Р-n-переход. Его барьерная и диффузионная емкости. Их использование в схемотехнике.
23- Куда сместится уровень Ферми при введении донорной примеси.
24- Пробой р-n-перехода. Какие и куда двигаются заряды при пробое. Использование пробоя в схемотехнике.
25- Куда сместится уровень Ферми при введении акцепторной примеси.
26- Тепловой пробой р-n-перехода. Какие и куда двигаются заряды при пробое. Использование пробоя в схемотехнике.
27- Полупроводник с донорной примесью. Куда сместится уровень Ферми при повышении температуры.
28- Р-n-переход. Куда и как двигаются основные и неосновные заряды.
29- У какого электрона энергия больше – донорного или акцепторного.
30- Р-n-переход. Распределение потенциального барьера для основных и неосновных носителей.
31- У какой дырки энергия больше – донорной или акцепторной.
32- Р-n-переход. Почему барьерная емкость уменьшается при увеличении отрицательного напряжения.
33- Почему увеличивается число носителей заряда в полупроводнике с повышением температуры.
34- Р-n-переход. Почему образуется внутреннее поле в р-n – переходе.
35- Ширина запрещенной зоны Si равна 1.13 эВ. Какую энергию необходимо добавить электрону, чтобы перевести его из зоны примеси электронного типа, расположенной выше потолка валентной зоны на 0.1 эВ в зону проводимости.
36- Р-n-переход. Какими факторами определяется высота потенциального барьера.
37- Ширина запрещенной зоны кремния равна 1.13 эВ. Куда переместится уровень Ферми после введения донорной примеси с энергией 0.2 эВ.
38- Р-n-переход. Чем отличаются пробои в переходе.
39- Как изменяется электропроводность собственного полупроводника с повышением температуры.
40- Р-n-переход. Что такое тепловой ток и как он зависит от температуры.
41- Р-n-переход. Почему он обладает свойством проводить ток в одном направлении и не проводить ток в другом.
42- Какого типа полупроводник, если уровень Ферми находится в зоне проводимости.
43- Р-n-переход. Как зависит длина перехода от изменения температуры.
44- Куда смещается уровень Ферми в полупроводнике при легировании его индием.
45- Как изменяется электропроводность собственного полупроводника с повышением температуры.
46- В какой зоне находится уровень Ферми в собственном полупроводнике при температур абсолютного нуля.
47- Р-n-переход. Почему он обладает свойством проводить ток в одном направлении и не проводить ток в другом.
