русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Диоды Ганна


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 1333; Нарушение авторских прав


Диоды Ганна используются в основном для генерирования колебаний ВЧ и СВЧ. В основе принципа действия этих диодов лежит эффект Ганна, связанный с особой зависимостью подвижности носителей заряда от напряженности электрического поля.

Работающий диод Ганна формирует импульсный ток с длительностью импульсов порядка 10-10 с. Временная диаграмма тока диода Ганна в режиме накопления заряда приведена на рис.

 

 
 


7.8 Варикапы(УГО )

 

Варикап – это полупроводниковый диод, действие которого основано на импользовании зависимости емкости р-п-перехода от обратного напряжения. Предназначен для применения в качестве электрически управляемой емкости. Широко применяются в схемах автоматической подстройки частоты.

На рис. показана примерная зависимость барьерной емкости р-п-перехода от обратного напряжения.

Барьерная емкость определяется по формуле:

,

где S – площадь перехода в см2; Nd- концентрация донорной примеси; U-обратное напряжение.

 

Параметры варикапов:

- Снноминальная емкость – емкость между выводами, измеренная при заданном обратном напряжении;

- КСкоэффициент перекрытия по емкости – отношение емкостей варикапа при двух заданных значениях обратных напряжений;

- Qдобротность варикапа – отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданной емкости или обратном напряжении;

- – температурный коэффициент емкости, представляющий собой относительное изменение емкости варикапа, приходящееся на один градус изменения температуры окружающей среды;

- Uобр.max – максимально допустимое обратное напряжение;

- Рmax- – максимально допустимая рассеиваемая мощность.

 

Относительное изменение емкости неодинаково для различных абсолютных значений температуры. Поэтому в справочниках обычно приводится температурная зависимость коэффициента α. Добротность варикапа также зависит от температуры.



 
 


7.9 Стабилитроны(УГО )

 

Полупроводниковый стабилитрон – это кремниевый диод, работающий под обратным напряжением в режиме электрического пробоя и предназначенный для стабилизации напряжения в нелинейных цепях постоянного тока.

Для стабилизации высокого напряжения Uст > 3 В используют обратную цепь ВАХ. Для стабилизации небольших значений Uст 1,5 В используют прямую ветвь, а применяемые в этом случае диоды называются стабисторами.

Промышленность выпускает стабилитроны с напряжением стабилизации от 3,3 до 180 В.

 

Применение именно кремния в качестве исходного материала объясняется малым значением и слабой зависимостью от температуры обратного тока у кремниевых диодов.

Стабилитрон включается в схему параллельно нагрузке, а в неразветвленную цепь включается балластное сопротивление.

На рис. ниже приведена схема включения и ВАХ кремниевого стабилитрона.

 

Точка 1 на ВАХ соответствует минимальному значению тока, при котором обеспечивается режим электрического пробоя. Точка 3 соответствует максимально допустимой мощности, рассеиваемой диодом при обратном включении.

Схема стабилизации рассчитывается так, чтобы при номинальном входном напряжении Uвх и заданном токе в нагрузке RH, при котором напряжение на нагрузке и стабилитроне было бы равно напряжению стаби­лизации UСТ, а ток, протекающий через стабилитрон, был равен среднему значению между максимально и минимально допустимыми токами стабилизации Iст ср (точка 2). Процесc стабилизации напряжения на нагрузке протекает следующим образом.

Если, например, входное напряжение повысилось, то сопротивление стабилитрона уменьшится, ток через него возрастет, а напряжение на нагрузке почти не изменитея. Излишек напряжения гасится на балластном резисторе.

 

Основные параметры стабилитронов:

- UСТнапряжение стабилизации, т.е. напряжение на стабилитроне при протекании заданного тока стабилизации;

- Rст – дифференциальное сопротивление стабилитрона, т.е. ;

- αст – температурный коэффициент напряжения стабилизации, т.е. отношение относительного изменения напряжения стабилизации к абсолютному изменению температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации: .

 

Предельные параметры определяют границы эксплуатации режимов, при которых компонент может работать в течение гарантированного срока. Для стабилитронов предельные параметры:

- Iст min – минимально допустимый ток стабилизации (наименьший ток через стабилитрон), при котором напряжение UСТ находится в заданных пределах;

- Iст max – максимально допустимый ток стабилизации (наибольший ток через стабилитрон), при котором напряжение UСТ находится в заданных пределах, а температура перехода не выше допустимой;

- Рmax – максимально допустимая рассеиваемая мощность, при которой не возникает теплового пробоя р-п-перехода.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Сверхвысокочастотные диоды | Лабораторная работа № 1.44


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.836 сек.