русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Высокочастотные диоды


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 822; Нарушение авторских прав


 

Предназначены для выпрямления (детектирования) токов на частотах до 1 ГГц. На такой частоте могут работать только диоды с малой барьерной емкостью перехода ( 1…2 пФ). Поэтому в качестве ВЧ-диодов используют точечные диоды. Поскольку ВЧ-диоды могут хорошо работать и на НЧ, т.е. в широком диапазоне частот, их называют также универсальными.

Из-за малой площади перехода максимально допустимый ток Iпр у ВЧ-диодов не превышает несколько десятков миллиампер. Максимально допустимое напряжение Uобр.max у точечных диодов невелико – десятки вольт.

Важным параметром для ВЧ-диодов является прямое дифференциальное сопротивление, или сопротивление переменному току, rдиф= , представляющее собой отношение малого приращения прямого напряжения к вызванному этим приращением приросту прямого тока (составляет единицы – десятки Ом).

Дифференциальное сопротивление следует отличать от сопротивления диода постоянному току Rпр= , которое определяется отношением напряжения к току в заданной точке (точка А на рис.) и составляет десятки-сотни Ом.

Таким образом, rдиф < Rпр

 

Напомним, что нескомпенсированные объемные заряды атомов («–» акцепторной примеси и «+» донорной примеси) а р-п-переходе, разделенные объемным слоем с малой электропроводностью, образуют емкость. Её принято называть барьерной, или зарядной, ёмкостью р-п-перехода. Емкость диода СД является важным параметром, зависящим от напряжения Uобр.. В справочниках указывают напряжение Uобр., которому соответствует приведенное значение емкости СД. При увеличении напряжения Uобр. ширина р-п-перехода увеличивается, а барьерная емкость уменьшается. При уменьшении напряжения Uобр. ширина р-п-перехода уменьшается, а барьерная емкость увеличивается.

Остальные параметры ВЧ-диодов аналогичны параметрам НЧ выпрямительных диодов (Uпр., Iобр. max, Uобр.max, Iпр.max или Iвыпр.max ).



 

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ | Импульсные диоды


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.662 сек.