русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Вольт-амперная характеристика и разновидности полупроводниковых диодов.


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 701; Нарушение авторских прав


Свойства p-n перехода обуславливают следующий вид вольт-амперной характеристики диода (рис.2).

Токи, протекающие через диод, при приложении к нему прямого и обратного (в отсутствии электрического пробоя) напряжений, различаются на 4-6 порядков, что позволяет говорить о его односторонней электрической проводимости. В обоих случаях возможный ток через диод определяется площадью p-n перехода. Падение напряжения на диоде при пропускании через него прямого тока составляет (0,3–0,6) В для германиевых и (0,8–1,2) В для кремниевых диодов.

В зависимости от назначения диоды подразделяются на:

1. выпрямительные диоды;

2. полупроводниковые стабилитроны;

3. варикапы;

4. импульсные диоды и так далее.

 

 
 

 

 

 


Рис. 1 Полупроводниковая структура диода и свойства p-n перехода

 

где РР , nn – основные носители: дырки и электроны; Рn , np – неосновные носители: дырки и электроны; , – положительно заряженные донорные и отрицательно заряженные акцепторные ионы.

 


Пояснения к рис. 1.

· p-n переход в отсутствии внешнего напряжения: Jдиф. = Jдр;

 

· p-n переход при подаче прямого смещения:

Е внеш. Направлено против поля двойного заряженного слоя, φ уменьшается;

 

· Jдиф. > Jдр. – через диод течет прямой ток;

 

— p-n переход при подаче обратного смещения:

Е внеш. Совпадает по направлению с полем двойного заряженного слоя, φ возрастает;

 

· Jдиф. < Jдр. – через диод течет обратный ток

 

 

Условное графическое обозначение выпрямительного диода представленно на рис. 3. Эти диоды предназначены для выпрямления переменного тока.

Их основными параметрами являются:

- постоянное прямое напряжение Uпр, которое нормируется при определенном прямом токе Iпр;



- максимально допустимый прямой ток Iпр. max;

- обратный ток диода Iобр, который нормируется при определенном обратном напряжении Uобр;

- максимально допустимый обратное напряжение Uобр. max.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Свойства p-n перехода. | Различают выпрямительные диоды


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.366 сек.