Показанны постоянные составляющие токов и напряжений.

Варианты индивидуальных заданий

Данные транзисторов приведены в Приложении.

Указания.

Вольтамперные характеристики транзистора с графическими построениями (выбор поля допуска положения рабочей точки, нагрузочная прямая, рабочая точка с указанием координат) привести в тексте ПЗ на вставке в виде распечатки или ксерокопии.

Графический анализ для статического режима выполнить в пределах полей заданных в Приложении ВАХ транзисторов.

В отчете привести также все требуемые при проектировании справочные параметры транзистора, включая предельно допустимые эксплуатационные.

Рассчеты усилителя в динамическом режиме выполнить на основе эквивалентной схемы замещения в Н-параметрах.

Для рассчитанных и выбранных резисторов в спецификации указать тип, допустимую мощность рассеивания, номинал, допуск.

Справка:

шкала номинальных значений ряда Е-24 резисторов типа МЛТ формируется

путем умножения базового ряда значений, в Ом:

10, 11,12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30, 33, 36, 39, 43, 47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91

на множители 10 ^k, где k = –1, 0, 1, 2, 3, 4, 5.

Запись резистора в спецификацию соответствует формату (например, МЛТ – 0,125 1,2К 10% – это резистор типа МЛТ с номинальной мощностью рассеивания 125 мВт, с номиналом

1,2 кОм и с допуском ± 10 %).

Срок сдачи задания – через две недели с момента получения задания.