Отчет должен содержать:
1. Все необходимые справочные данные из научно-технической литературы.
2. Подробный расчёт параметров полупроводникового диода.
3. График распределения поля и потенциала в ОПЗ.
4. Выводы.
Контрольные вопросы
1. В чём заключается приближение полного обеднения для p-n –перехода?
2. Какова точность приближения полного обеднения?
3. Какова физическая природа тока насыщения?
Литература
1. В. А. Гуртов. Твёрдотельная электроника: Учеб. для вузов. – М.: Техносфера, 2008. – 510с.
2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В2-х т. – М.: Мир, 1981.
ПРИЛОЖЕНИЕ
Варианты заданий
|
№
|
Полу-
проводник
| Концентрация
доноров,
| Концентрация
акцепторов,
| Примечание
|
|
| Si
| 
|
|
|
|
| Ge
|
| 
|
|
|
| GaAs
|
| 
|
|
|
| InP
|
| 
|
|
|
| Si
|
| 
|
|
|
| Ge
|
|
|
|
|
| GaAs
|
|
|
|
|
| InP
| 
| 
|
|
|
| Si
|
| 
|
|
|
| Ge
|
|
|
|
|
| GaAs
| 
| 
|
|
|
| InP
| 
| 
|
|
|
| Si
|
|
|
|
|
| Ge
|
|
|
|
|
| GaAs
|
|
|
|
|
| InP
|
|
|
|
|
| Si
| 
| 
|
|
|
| Ge
| 
| 
|
|
|
| GaAs
|
| 
|
|
|
| InP
|
|
|
|
