При работе с переменными сигналами малых амплитуд полевой транзистор, как и биполярный, можно представить в виде линейного активного четырехполюсника. Вследствие высокого входного сопротивления полевых транзисторов наиболее удобной как для измерения, так и для использования является система Y-коэффициентов. Параметры, приведенные выше, позволяют построить эквивалентные схемы для полевых транзисторов. В качестве примера постоим эквивалентную схему для полевого транзистора с управляющим p-n переходом с общим истоком (рис.7.23).
Рис.7.23
Здесь C11и=Cзи – емкость затвор-исток; C12и=Cзс – емкость затвор-сток; C22и=Cси – емкость сток-исток; S-статическая крутизна; C11и=Cзи – емкость затвор-исток; g11и-активная проводимость входной цепи. g11и=Rey11, т.е. вещественная часть входной проводимости y11, которая, в свою очередь, равна
(5.29)
С вещественной входной проводимостью g11и приходится считаться лишь на высоких частотах, поэтому она изображена пунктирными линиями.
На практике для МДП-транзистора используют упрошенную эквивалентную схему, показанную на рис.7.24, где С11и=Сзк, С12и=Сзс, С22и=Сси Кроме того, считают, что по переменному току между истоком и подложкой существует короткое замыкание.
Рис.7.24.
