Параметры и эквивалентные схемы транзистора.

Параметры транзисторов являются величинами, характеризующие их свойства. С помощью параметров можно сравнивать качество транзисторов, решать задачи, связанные с применением транзисторов в различных схемах, и рассчитывать эти схемы. Для транзисторов предложено несколько различных систем параметров и эквивалентных схем, каждая из которых имеет свои преимущества и недостатки.

Все параметры можно разделить на собственные (или первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют физические свойства самого транзистора независимо от схемы включения, а вторичные параметры для различных схем включения различны.

Статические параметры транзистора для транзистора, включенного по схеме с общей базой.

Большому классу так называемых линейных электронных схем свойственен такой режим работы транзистора, при котором на фоне сравнительно больших постоянных токов и напряжений действуют малые переменные составляющие. Именно эти составляющие представляют в таких схемах основной интерес.

Постоянные и переменные составляющие анализируются и рассчитываются раздельно. При анализе переменных составляющих пользуются специальными малосигнальными моделями (эквивалентными схемами), состоящими из линейных элементов. Эти элементы отображают те производные, которые связывают между собой малые приращения токов и напряжений.

К числу основных статических параметров относятся следующие параметры:

1) Дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока в цепь коллекторного:

. (7.18)

Коэффициент α имеет порядок 0,9 – 0,999.

2) Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, включенного в прямом направлении:

. (7.19)

Числовое значение лежит в пределах от единиц до десятков Ом.

3) Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, включенного в обратном направлении:

. (7.20)

Значения лежат в пределах 0,5 – 1Мом.

4) Объемное сопротивление базы .

- поперечное объемное сопротивление базы – сопротивление базовому току. Обычно >> и составляет сотни Ом - единицы кОм.

5) Крутизна

. (7.21)

Так как в транзисторе существует положительная обратная связь, то вводят:

5) Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению:

. (7.22)

Числовое значение составляет 10^-3 – 10^-4.

Статические параметры транзистора для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Для схемы с общим эмиттером и имеют тот же физический смысл, что и в схеме ОБ, а сопротивление коллекторного перехода определяется как

, где - дифференциальный коэффициент передачи тока базы в цепь коллектора.