Разработка конструкций туннельных диодов требует выполнения условия f0 < fR. Для этого индуктивность выводов должна быть по возможности минимальной. Уменьшение емкости путем уменьшения площади перехода приводит к увеличению - r, уменьшению пикового тока, но не повлияет на fR . Поэтому частотные свойства туннельного диода удобно характеризовать отношением IП /Сбар .
Одна из конструкций в металлокерамическом корпусе показана на рисунке 1.19. Выводы, с целью уменьшения индуктивности, ленточные и короткие. В диапазоне сверхвысоких частот используют патронную конструкцию.
